SUSS双面光刻机
设备名称：SUSS双面光刻机
设备型号：SUSS MA／BA8 GEN4
设备厂商：德国SUSS 公司
技术性能指标
1．衬底尺寸：最大8英寸，兼容6，4，2英寸，最小10＊10mm
2．光强大小：35mw／cm2＠365nm 光强均匀性：优于±2.5％＠8”
3．曝光模式：真空接触、硬接触、软接触、接近式曝光
4．正面显微镜分离距离调节范围29－203mm
5．背面显微镜分离距离调节范围15－203mm
6．正面光刻分辨率：0.8μm，背面光刻分别率1.1μm
7．最大晶圆厚度：6mm
8．可用于键合机晶圆对准
