低压气相沉积（LPCVD）
设备名称：LPCVD
设备厂商：青岛华旗
工作原理：低压化学气相沉积
用途：热氧化SiO2，湿法SiO2，SiNx生长
技术性能指标
1、温度：300～1100℃
2、恒温区：350mm／±1℃
3、极限真空度：8×10－1Pa
4、压力测控范围：1Pa～1000Pa
5、适用晶片：4＂－6＂
6、膜厚均匀性（150nm）
片内≤±3％间≤±3％ 批间≤±3％
镀膜工艺
咨询热线：曾工 15018420573（微信同号）
邮箱：zengzhaohui@gdisit.com
