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CLASS 100 / 1000 / 10000 ULTRA CLEAN LABORATORY

百级/千级/万级超净实验室

5000平米研发基地

完整的半导体工艺链

镀膜工艺

咨询热线:曾工 15018420573(微信同号)

邮箱:zengzhaohui@gdisit.com

等离子体增强化学气相沉积(PECVD)

设备名称:等离子体增强化学气相沉积(PECVD)

设备型号:PlasmaPro 800Plus PECVD

设备厂商:英国牛津仪器

工作原理:等离子体经受激、分解、离解和离化后,这些具有高反应活性的中性物质被吸附到较低温度的衬底表面上,发生非平衡的化学反应沉积生成薄膜。

用途:沉积SiO2、SiNX薄膜、不含H的SiNX薄膜、SiNOx薄膜

技术性能指标

1.RF射频源:高频13.56MHz 功率0-300W;低频50-460KHz 功率0-500W

2.反应气体:CF4/O2、N2、N2O、SiH4/N2、NH3

3.样品尺寸:43*2英寸、10*4英寸、4*6英寸

4.下电极温度:室温-400℃可调

5.镀膜均匀性:<±3%