刻蚀案例
GaN材料刻蚀
GaN基超表面刻蚀
纳米结构刻蚀
硅基超表面结构
40比1高深宽比刻蚀
孔径3微米，15比1深宽比TSV刻蚀
刻蚀侧壁粗糙度低于40nm
硅针刻蚀
微流控芯片刻蚀
提供高品质的机时开放共享 和定制化的技术服务
紫外光刻-深硅刻蚀-材料刻蚀-真空镀膜-磁控溅射-晶圆键合-快速退火 广东省科学院半导体研究所 手机：15018420573 曾工（微信同号） 邮箱：zengzhaohui@gdisit.com 地址：广州市天河区长兴路363号
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