TLM法测量欧姆接触电阻
发布时间：2024-06-28 欧姆接触是相对于半导体的体电阻或扩展电阻来说，它的接触电阻是可以忽略的金属-半导体接触（金半接触）。理想欧姆接触的接触电阻应对于器件性能影响不大，当有电流流过时，欧姆接触上的电压...技术分享
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XRD摇摆曲线如何表征晶体生长质量
发布时间：2024-06-28 X射线又叫X光，X射线的产生装置即X射线管，其原理是由阴极发射的热电子，在几kV~几十kV高压作用下，高速飞向阳极靶，靶面物质与高速运动的电子相互作用，即发射出X射线。 -
Ｘ射线反射率测试薄膜厚度
发布时间：2024-06-28 测量纳米薄膜厚度的方法主要包括Ｘ射线反射率测试（XRR）、椭偏仪、X射线荧光（XRF）等。GIXRR是一种无损、快速的检测手段，具有高测量重复性，且它可以分析多层膜和单层膜内的结构。Ｘ射线... -
利用吸收光谱获取半导体材料的禁带宽度
发布时间：2024-06-28 禁带宽度指的是一个能带宽度，也叫做带隙，单位是电子伏特（eV）。价带中被束缚的电子要成为自由电子，就必须获得足够能量从而跃迁到导带，电子从价带顶（Ev）到达导带底所需要的这个能量就... -
如何利用UPS获取功函数
发布时间：2024-06-28 UPS(紫外光电子能谱)是测量价带谱、功函数的一种常用方法。UPS测量功函数为什么需要加偏压?功函数是怎么计算出来的?费米边、截止边是怎么回事?经常有同学问到这个问题，所以写篇科普短文解释...
