为进一步推动我国宽禁带半导体材料与器件研究和产业发展，发挥各方优势资源力量，加强产学研交流，10月25日，第五届全国宽禁带半导体学术会议，在苏州工业园区拉开序幕。

    大会吸引了来自科研院所、高校与行业领域相关企业近700位专家、学者参会，包括中国科学院院士、北京大学教授甘子钊，中国科学院院士、南京大学教授郑有炓，中国科学院院士、国家自然科学基金委信息学部主任郝跃，中国科学院院士、南昌大学教授江风益等业内权威专家。

    我所先进材料平台、测试分析平台、微纳加工平台、新型显示团队应邀参加本次会议，相关工作得到业内专家的广泛关注。其中，新型显示团队带头人龚政博士做了题为“基于光敏聚合物的Micro-LED芯片转移技术及应用”的邀请报告，先进材料平台的研究工作“基于台阶聚并超薄AlN模板的高效深紫外发光结构生长”获得优秀论文奖。

（供稿：先进材料平台）