8月4-6日，以“先进光电技术·智能绿色制造”为主题，由中国有色金属学会、南京大学、厦门大学、中国科学技术大学、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）等联合主办的第十六届全国MOCVD学术会议于安徽屯溪顺利召开，省科学院半导体所所长陈志涛教授等四人应邀参加。

会上，陈志涛教授做了题为“Al(Ga)N材料的缺陷和应变调控研究”的邀请报告，着重介绍了省科学院半导体所在氮化物材料外延生长及深紫外LED器件研究方面的取得的最新进展，报告反响热烈，得到与会专家学者的高度关注和认可，现场还进行了深度的探讨。

我所青年科研人员贺龙飞博士发表的题为“基于PVD-AlN缓冲层的高质量AlGaN厚膜MOCVD外延生长”的会议论文，获得了本次学术会议最佳海报奖。本次会议共评出十个最佳海报奖，由中国科学院院士、南京大学郑有炓教授和中国科学院院士、南昌大学副校长江风益教授共同为获奖者颁发荣誉证书。

全国MOCVD学术会议是自1989年以来，已成功举办了十五届，成为全国学术界和产业界广泛参与的学术盛会，对于充分了解国内外MOCVD技术发展的现状与趋势，同时对加强业内交流与合作，提升我国第三代半导体材料及器件研发和产业化推进水平，具有重要意义。本次会议共吸引了来自MOCVD技术领域国内外顶级专家、机构嘉宾、学者、企业家代表等500余人参加。

                                      （供稿：贺龙飞）