11月10日到11月15日，第9届亚洲—太平洋宽禁带半导体国际学术会议在日本冲绳科学技术大学召开，省半导体院李成果博士受邀参加，来自中、日、韩、新加坡等国的宽禁带半导体材料与器件领域的专家、学者共同分享了宽禁带半导体材料与器件研究的最新进展，讨论了未来该领域的发展方向。

会上，李成果博士做了题为“Growth and characterizations of N-polar GaN by MOVPE”的报告，汇报了省半导体院在N极性GaN材料生长方面的最新进展。N极性GaN材料在高电压功率器件及射频器件应用方面相较于传统Ga极性材料具有击穿电压高、导通电阻小以及尺寸微缩等优势，近年来在功率器件尤其是射频器件领域受到学术和产业界关注，但高质量N极性GaN材料生长一直是难点。

          李成果博士在蓝宝石衬底上通过对晶体生长中过饱和度的调控，得到了表面平整、低杂质浓度及高结构质量的N极性GaN薄膜，晶体质量可与传统蓝宝石上Ga极性GaN薄膜相比较，其研究结果为我院在N极性GaN功率与射频器件的进一步研制奠定了良好基础。