10月24日，刘俊军博士来省半导体院进行学术交流，并为全院职工做题为《先进铜互联线技术中的材料和工艺》的学术报告。

介绍了晶圆制成后端工艺中的核心铜互连线技术的历史和现状，技术发展的思路和在材料及工艺流程方面面临的问题和挑战。特别回顾了低介电常数绝缘介质研发中的材料工程问题和历史变迁，多孔性低介电常数材料的具体实施方案，其材料物化特性针对工艺要求的优化。

简介：刘俊军博士，制程设备和工艺、低介电常数材料专家。1994年北京大学获得双学士学位（物理系和东方语言文学系），并于2006年从美国德州大学（Univ.of Texas at Austin）获得材料科学工程硕士和博士学位。曾在世界第二大晶圆设备生产厂东京电子（TEL）的研发部门工作，参与并主导过多项晶圆制程设备的开发研制。迄今已在低介电常数材料的特性优化、成膜后处理设备、工艺整合、原子层成膜及表面分析等领域发表10多篇论文，并在美国、日本、台湾和韩国申请了40多个专利。目前在德州大学任高级研究员，研究如何将先进封装技术运用于生物医药领域，特别是智能精确药物投放系统。

（省半导体院  曹军供稿/摄影）