2018年8月21-24日，第十五届全国MOCVD学术会议在江西省井冈山市隆重举行，省半导体院的吴华龙博士等三人参会进行成果展示与学术交流。该会议创办于1989年，每两年一届，是MOCVD技术和化合物半导体材料器件领域的全国性顶级学术盛会，受到学术界和产业界的热捧。本次会议由中国有色金属学会主办，南昌大学与第三代半导体产业技术创新战略联盟承办，参会代表超过500人。
会上，我院吴华龙博士作报告“具有高生长速率的高质量AIN模板制备”，介绍我院在产业化AIN材料制备上取得的新突破。报告反响热烈，受到同行专家的称赞与认可。同时，我院的贺龙飞与任远工程师也在会上通过海报展示了我院在紫外LED与GaN电子器件方面取得的新进展，与同行们进行了深入的交流，得到广泛的关注与认可。本次会议的成果展示与交流，增强了我院与国内各高校、科研院所以及企业的沟通合作，进一步提升了我院的影响力与关注度。
（省半导体院 材料外延平台撰稿）
