1月26日，北京大学许福军副教授应邀到广东省半导体产业技术研究院进行学术交流，并以“高Al组分AlGaN及其低维量子结构的外延生长及缺陷控制”为题做学术报告。学术报告会由省半导体院副院长（主持工作）陈志涛主持，相关技术人员参加了报告会。

会上，许福军副教授报告了衬底氮化结合多周期高低温生长提升AlN薄膜外延质量、采用纳米图形化衬底制备低位错密度AlN、AlGaN薄膜在应变状态下的组分演化机制研究、AlGaN基量子阱的MOCVD外延生长这几方面的最新研究情况。

会上，许福军副教授还与技术人员展开了深入的交流探讨。

许福军副教授做报告

学术报告会

（省半导体院 曾翠霞 撰稿/摄影）