2018年1月4日，阿卜杜拉国王科技大学（KAUST）李晓航博士应邀到省半导体院进行学术交流，并以“深紫外激光 | 新型B-III-N材料 | 极化场工具箱”为题做学术报告。学术报告会由院副院长（主持工作）陈志涛主持，院全体科研人员参加报告会。
李晓航博士结合自身学习和科研经验以深入浅出地报告了KAUST在III族氮化物宽禁带半导体领域的研发进展，包括深紫外半导体激光的发展和科技前沿成果、B-III-N等新型材料的最新研究进展和应用、有关极化场工具箱的研究以及如何实现C面上零极化的异质结/量子阱等学术问题，并与与会人员进行了深入的学术探讨。
李晓航博士简介：
是KAUST先进半导体实验室PI兼博士生导师，是该校2017-2018年被提名为杰出教学奖的教授之一，是半导体深紫外激光研究的先驱者之一。在全球首次实现在蓝宝石上波长短于260纳米激光和低阈值深紫外激光，首次实现在同一衬底上TE和TM半导体激光，首次实现半导体深紫外表面受激辐射。在B-III-N等新型第三代半导体研究做出了世界领先和开创性的成果，在第三代半导体高水平杂志和会议上发表了120余篇论文，被引用1200余次（h指数16），在国际会议大学研究所和公司做受邀报告30余次。曾荣获SPIE协会年度最高奖、IEEE Photonics Society协会博士生年度最高奖、佐治亚理工学院研究生最高奖等诸多荣誉。多次承担美国能源部、美国国防高级研究计划局、美国自然科学基金、中国自然科学基金和海湾阿拉伯国家合作委员会等研究项目。
李晓航博士做学术报告
陈志涛副院长（左）、李晓航博士（中）、赵维博士（右）
（省半导体院 曾翠霞 撰稿/摄影）
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