10月15日-18日，第七届亚洲晶体生长和晶体技术会议（The 7th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology, CGCT-7）在吉林省长春市举行。应会议组委会邀请，广东省半导体产业技术研究院教授级高工陈志涛在会议上做了“采用磁控溅射AlN缓冲层生长高质量III族氮化物（Growth of High-quality III-nitrides Using Sputtered AlN Buffer Layers）”的邀请报告。

会上，陈志涛报告了广东省半导体产业技术研究院在生长高质量III族氮化物半导体材料方面的最新进展。通过在图形化蓝宝石衬底上采用磁控溅射AlN缓冲层成功生长出晶体质量达国际先进水平GaN材料；通过在平片蓝宝石衬底上采用磁控溅射AlN缓冲层成功生长出晶体质量达到国际领先水平的AlN材料。相关结果将对发展高性能第三代半导体器件奠定了材料基础，报告受到国内外同行的关注和认可。

此次会议扩大了广东省半导体产业技术研究院及广东省科学院在该领域内的国际影响力，为本单位在该领域未来的学术及产业合作交流起到了积极作用。

(亚洲晶体生长与晶体技术（CGCT）系列会议是晶体领域最具影响的国际学术会议之一。CGCT会议每三年举办一次，自2000年在日本仙台举办第一届CGCT会议起，至今已17年历史。2005年曾在北京举办，本次会议是第二次在我国举办, 此次会议参会人数达到600多人）。