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CLASS 100 / 1000 / 10000 ULTRA CLEAN LABORATORY

百级/千级/万级超净实验室

5000平米研发基地

完整的半导体工艺链

刻蚀工艺

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ICP刻蚀机

设备名称:感应耦合等离子刻蚀机(ICP)

设备型号:PlasmaPro System 133 ICP380

设备厂商:英国牛津仪器

工作原理:采用高频辉光放电反应,将反应气体解离为活性粒子,如原子或自由基,通过电磁场加速,这些活性粒子扩散到需要刻蚀的部位,与刻蚀材料进行反应,生成易挥发的物质被去除。

用途:刻蚀GaN、Si、AlGaInP、AlGaN、SiO2、Si3N4等材料

技术性能指标

1.ICP离子源:0-3000W;RF射频源:0-600W

2.刻蚀气体:Cl2、BCl3、Ar、SF6、O2、CHF3

3.样品尺寸:27*2英寸、6*4英寸、1*6英寸

4.基底刻蚀温度: -20℃-80℃可调

5.刻蚀均匀性:<±3%