深硅刻蚀
设备型号：HSE M200
工作原理：采用高频辉光放电反应，将反应气体解离为活性粒子，如原子或自由基，通过电磁场加速，这些活性粒子扩散到需要刻蚀的部位，与硅材料进行反应，生成易挥发的物质被去除。
用途：刻蚀硅柱、硅孔、硅光栅、MEMS等硅材料
技术性能指标
1．最高深宽比能力＞50：1
2．刻蚀硅与光刻胶选择比＞50：1，刻蚀速率＞8μm／min
3．侧壁粗糙度＜50nm，角度满足90±1°
4．8英寸晶圆往下兼容
5．片间均匀性＜5％，片内均匀性＜5％
