设备型号：B1505A、TS2000-HP

设备厂商：Keysight、MPI

设备介绍：

       B1505A 是一个功能强大的测量和表征工具，能评估所有类型的功率器件，其优异的性能包括宽电压和电流范围，快脉冲能力（10μs），μΩ级导通电阻测量分辨率，以及亚pA级电流测量能力，可提供高效的功率器件测量解决方案。此外，它能在高电压偏置下进行电容测量，示波器观察功能还可对脉冲波形进行视觉验证。

主要特点：

      – 进行宽范围的电流/电压测量: 达1500A/10kV

      – 精确的泄漏电流测量(亚pA能力)

      – 精密的导通电阻表征(µΩ分辨率)

      – 快至10µs的大功率脉冲测量

      – 高电压偏置下的中电流测量能力: 500mA @ 1200V

      – 进行高电压偏置的CV测量

      – 最大直流偏置±3000V

      – 高功率圆片探测支持，在圆片上进行>200A和10kV的测试

      – 真旋钮扫描曲线追踪仪功能

      – 支持输出波形监视的示波器观察(I/V)功能

      – 易于使用的EasyEXPERT测试环境可全自动测量和数据分析

      – 可溯源至国际标准的大电流∕电压测量

      – 可扩展的平台和体系结构，能随需求变化添加测量能力

      – 提供 4 种测试模式: 曲线测试模式、应用测试模式、传统测试模式和快速测试模式。可以为用户不同的器件测试选择，以最大程度地提高测量灵活性。

     – 模块化配置，有10个用于支持模块的插槽

     – 多频电容测量单元（MFCMU），频率范围1kHz至1MHz

     – 多种适用SMU类型：HPSMU, MPSMU，MCSMU，HCSMU，HVSMU和UCSMU

     – 适用于封装测试和晶圆测试的标准附件：测试夹块选择器具，模和高压偏置三通

应用领域：

       SiC/GaN半导体封装器件和晶圆上器件（如下）的参数测试，进行器件的评估及失效分析。

       – SiC/GaN器件

       – IGBT

       – 功率 MOSFET

       – 双极晶体管

       – 晶闸管

       – 电源管理 IC

       – 高压二极管

代表性测试结果：

       1. MOSFET三极管击穿电压

       2. MOSFET 三极管阈值电压

        3. MOSFET 三极管Crss电容

        4. MOSFET 三极管输出和转移特性