设备名称：磁控溅射台

设备厂商：美国科特

工作原理：高能粒子撞击具有高纯度的靶材固定平板，通过物理过程轰击出原子，这些被撞击出的原子穿过真空，最后淀积在样品表面。

用途：溅射Ti、Al、Ni、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、Ti、W、Pd、Pt、Zn等金属薄膜，AlN、ITO、SiN、SiO2、TiO2、ZnO、IGZO等化合物材料。

技术指标：

1. 样品尺寸：5*2英寸、1*4英寸、1*6英寸

2. 基板加热温度： 室温-350℃可调，控温精度1℃

3.配备四台溅射靶枪，其中一个靶枪支持强磁性材料

4. 300W射频电源，2kW 直流脉冲电源，带有等离子清洗功能

5. 蒸发均匀性：2英寸范围内<±3% ；6英寸范围内±5%

工艺特点：

1. 具有淀积并保持复杂合金原组分的能力；

2. 材料适用范围广，几乎所有固体材料均可适用，特别是能够淀积高温融化和难熔金属；

3. 溅射工艺的可控性和重复性好；

4. 使用磁控溅射沉积金属薄膜，其致密度、颗粒度、表面粗糙度以及衬底结合力均好于真空蒸发沉积薄膜；

5. 支持一个工艺中顺序溅射三种金属材料；顺序溅射两种金属和一种氧化物及化合物材料；共溅射两种金属材料；反应溅射。

磁控溅射Ti，粗糙度3.06nm	磁控溅射SiO2，粗糙度0.841nm	可以精确控制ZnO的晶型结构