设备名称：感应耦合等离子刻蚀机（ICP）

设备厂商：英国牛津仪器

工作原理：采用高频辉光放电反应，将反应气体解离为活性粒子，如原子或自由基，通过电磁场加速，这些活性粒子扩散到需要刻蚀的部位，与刻蚀材料进行反应，生成易挥发的物质被去除。

用途：刻蚀GaN、Si、AlGaInP、AlGaN、SiO2、Si3N4等材料

技术指标：

1. ICP离子源：0-3000W；RF射频源：0-600W

2. 刻蚀气体：Cl2、BCl3、Ar、SF6、O2、CHF3

3.样品尺寸：27*2英寸、6*4英寸、1*6英寸

4.基底刻蚀温度： -20℃-80℃可调

5.  刻蚀均匀性：<±3%

工艺特点：

1.可以较好地精确地控制刻蚀的深度，刻蚀深度几个nm到几十个微米;

2.通过调整刻蚀参数和刻蚀掩膜，可以调节刻蚀的角度。

GaN深刻蚀：刻蚀深度6-8μm左右各向异性刻蚀	Si深刻蚀：各向同性刻蚀