设备名称：等离子体增强化学气相沉积（PECVD）

设备厂商：英国牛津仪器

工作原理：等离子体经受激、分解、离解和离化后，这些具有高反应活性的中性物质被吸附到较低温度的衬底表面上，发生非平衡的化学反应沉积生成薄膜。

用途：沉积SiO2、SiNX薄膜、不含H的SiNX薄膜、SiNOx薄膜

技术指标：

1. RF射频源：高频13.56MHz 功率0-300W；低频50-460KHz 功率0-500W

2. 反应气体：CF4/O2、N2、N2O、SiH4/N2、NH3

3.样品尺寸：43*2英寸、10*4英寸、4*6英寸

4.下电极温度：室温-400℃可调

5.  镀膜均匀性：<±3%

工艺特点：

1. 可以大批量、高质量SiO2、SiNX薄膜生长同时还可以用于NH3 Free （不含H的SiNX）薄膜生长;

2.采用高低频控制系统，可以大大降低薄膜应力。

SiO2/Si3N4折射率	采用高低频系统生长Si3N4薄膜，通过调整高低频时间比例，可以得到无应力薄膜