设备名称：光刻机

设备厂商：美国ABM公司

工作原理：将设计的掩模图形通过光刻机曝光转移        到涂有光刻胶的晶片上。

用途：光刻胶的图形化

技术指标：

1.紫外光波长：365nm，曝光能量密度18-20mW/cm2可调

2. 样品尺寸：6英寸及以下

3. 分辨率：接触曝光＜0.5μm，接近式曝光≤1μm

4.对准精度:＜1μm

可以实现6英寸wafer光刻，光刻均匀性小于±3%（大尺寸图形）；1μm线条均匀性小于± 5%