设备名称：ITO电子束蒸发台（ITO E-beam Evaporator）

设备型号：PEVA-600I

技术指标：

基板尺寸：2、4、6英寸，2英寸可放102片；

基板加热：最高温度350℃，控温精度1℃；

系统极限真空度：2×10-7 torr；

蒸发源数量：6个坩埚；

可蒸发材料：ITO、SiO2等

膜厚均匀性：≤±5%；

应用领域：用于半导体芯片制造环节中ITO、SiO2等化合物的蒸镀，2英寸片间和片内膜厚均匀性优于5%。2500Å的ITO退火前方阻小于10Ω/£，465nm波段透光率大于90%。