我院采用的HT-MOCVD设备是德国爱思强（Aixtron）公司生产的CCS 3×2" FT MOCVD系统，是国内第一台实验型超高温MOCVD系统，托盘表面温度可达1450℃，可以进行超高温下高质量AlN系氮化物外延材料生长。该设备采用垂直式近耦合喷淋反应室，喷淋头与托盘间距可调，同时喷孔密度高，气流均匀，基座采用三组电阻加热，温度均匀性好。

        本设备的主要技术参数：

        1、  外延尺寸：3片2英寸或1片4英寸；

        2、  生长温度控制范围：400~1450℃；

        3、  反应室压力控制范围：20~1000mbar；

        4、  源气配置：4路气体（H2、N2、NH3、SiH4）、9路MO源（2路TMGa、2路TMAl、TEGa、TMIn、2路Cp2Mg、1路spare）

        5、  基本材料指标

U-doped GaN	生长速率	≥2um/h
	厚度均匀度	<1.5%
	外延C、O杂质含量	<1E17cm-3
AlGaN(Al组分50%、70%、90%)	生长速率	>1um/h
	厚度均匀性	<2%
	XRD 002/102	350/600arcsec
n-AlGaN（Al组分70%、 厚度0.5um）	Si掺杂	>1E19cm-3
	载流子浓度	>2E17cm-3
	XRD 002/102	350/600arcsec
AlN	生长速率	>2um/h
	厚度均匀性	<2%
	外延C、O杂质含量	<1E18cm-3
	XRD 002/102	400/1000arcsec
	表面粗糙度	<2nm