| U-doped GaN | 生长速率 | ≥2um/h |
| 外延厚度均匀度（Tstd/Tavg， Tstd 为厚度均方差，Tavg为厚度平均值） | <3% | |
| 背景载流子浓度@RT（Hall） | n<1×10e17cm-3 | |
| 载流子迁移率 | ≧300cm2/V·s | |
| 002面半峰宽@XRD | ≦300arcsec | |
| 102半峰宽@XRD | ≦400arcsec | |
| Si-doped GaN | 载流子浓度 | n≧2×10e18cm-3 |
| 载流子迁移率 | ≧250cm2/V·s | |
| 方阻均匀性 | s/x<3% | |
| p-GaN： | 载流子浓度 | p≧1×10e17cm-3 |
| 载流子迁移率 | ≧10cm2/V·s | |
| 电阻率 | ≦3Ω·cm | |
| AlGaN | 组分 | >20% |
| 组分均匀性 | Xmax-Xmin≦2% | |
| InGaN/GaN MQW | 波长 | 450-460nm |
| 片内波长均匀性 | ≦2nm | |
| 片间波长均匀性 | ≦3nm | |
| Run to Run均匀性 | ≦2nm |
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