1、磁控溅射镀膜
一、信息详情：
设备名称：磁控溅射台
设备型号：Kurt PVD75Pro-Line
工作原理：高能粒子撞击具有高纯度的靶材固定平板，通过物理过程轰击出原子，这些被撞击出的原子穿过真空，最后淀积在样品表面。
用途：溅射Ti、Al、Ni、Cr、Pt、Cu等金属薄膜，溅射AlN、ITO、SiN、ZnO、IGZO等化合物材料
二、技术性能指标：
1. 样品尺寸：5*2英寸、1*4英寸、1*6英寸
2. 基板加热温度： 室温-350℃可调，控温精度1℃
3.配备四台溅射靶枪，其中一个靶枪支持强磁性材料
4. 300W射频电源，2kW 直流脉冲电源，带有等离子清洗功能
5. 蒸发均匀性：2英寸范围内<±3% ；6英寸范围内±5%
三、联系方式：
曾工15018420573（微信同号）邮箱：zengzhaohui@gdisit.com
2、金属电子束蒸发（DE400）
一、信息详情：
设备名称：金属电子束蒸发台
设备型号：DE400
设备厂商：美国德仪
二、技术性能指标：
1. 样品尺寸：5*2英寸、1*4英寸、1*6英寸
2. 基板加热温度： 室温-500℃可调，控温精度1℃
3. 极限真空： 2×10-8 torr
4.蒸发均匀性：<±3%
三、工艺特点：
1.一炉可以依次蒸镀8钟不同金属
2.可以蒸镀高熔点金属Pt、W等
3.带有预腔室，保证腔体高真空，形成高质量薄膜
4.带有Ar等离子清洗功能，保证薄膜和基底高粘附性
四、联系方式：
曾工15018420573（微信同号）邮箱：zengzhaohui@gdisit.com
3、金属电子束蒸发台（PEVA-600E）
一、信息详情：
设备名称：金属电子束蒸发台
设备型号：Peva-600E
设备厂商：台湾聚昌
工作原理：电子束斑聚焦到蒸发材料表面，使局部达到蒸发或升华温度，蒸发出来的原子沉积在基片表面，形成致密的金属薄膜。
用途：蒸发Ti，Al，Ni，Cr，Pt，Au，Ag等金属
二、技术性能指标：
样品尺寸：67*2英寸、20*4英寸、7*6英寸
基板加热温度：室温-250℃，控温精度1℃
极限真空：2×10-7 torr
蒸发均匀性：<±5%
一炉可以依次蒸镀6钟不同金属；
可以蒸镀高熔点金属Pt、W等
三、联系方式：
曾工15018420573（微信同号）邮箱：zengzhaohui@gdisit.com
4、ITO电子束蒸发台
一、信息详情：
设备名称：ITO电子束蒸发台
设备型号：Peva-600I
设备厂商：台湾聚昌
工作原理：电子束斑聚焦到介质材料表面，使局部达到蒸发或升华温度，蒸发出来的原子沉积在基片表面，同时增加离子源辅助沉积，实现高密度、高折射率的光学薄膜。
用途：蒸发透明导电薄膜ITO
二、技术性能指标：
1.样品尺寸：102*2英寸、21*4英寸、12*6英寸
2.基底刻蚀温度： 室温-350℃可调，控温精度1℃
3.极限真空：2×10-7 torr
4. 蒸发均匀性：<±5%
三、联系方式：
曾工15018420573（微信同号）邮箱：zengzhaohui@gdisit.com
5、热阻蒸发台
一、信息详情：
设备名称：电阻蒸发台
设备型号：ZHD-300
设备厂商：北京泰科诺
工作原理：将蒸发材料加热到蒸发或升华温度，蒸发出来的原子沉积在基片表面，形成致密的薄膜。
用途：蒸发有机物/熔点低的金属薄膜/厚度较大的金属薄膜
二、技术性能指标：
1. 样品尺寸：6英寸及以下
2. 真空极限：优于2.0*10-4Pa
3.两组蒸发源，可顺序蒸发两种材料
三、联系方式：
曾工15018420573（微信同号）邮箱：zengzhaohui@gdisit.com
6、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）
一、信息详情：
设备名称：等离子体增强化学气相沉积（PECVD）
设备型号：PlasmaPro 800Plus PECVD
设备厂商：英国牛津仪器
工作原理：等离子体经受激、分解、离解和离化后，这些具有高反应活性的中性物质被吸附到较低温度的衬底表面上，发生非平衡的化学反应沉积生成薄膜。
用途：沉积SiO2、SiNX薄膜、不含H的SiNX薄膜、SiNOx薄膜
二、技术性能指标：
1. RF射频源：高频13.56MHz 功率0-300W；低频50-460KHz 功率0-500W
2. 反应气体：CF4/O2、N2、N2O、SiH4/N2、NH3
3.样品尺寸：43*2英寸、10*4英寸、4*6英寸
4.下电极温度：室温-400℃可调
5. 镀膜均匀性：<±3%
三、联系方式：
曾工15018420573（微信同号）邮箱：zengzhaohui@gdisit.com
7、低压气相沉积（LPCVD）
一、信息详情：
设备名称：LPCVD
设备厂商：青岛华旗
工作原理：低压化学气相沉积
用途：热氧化SiO2，湿法SiO2，SiNx生长
二、技术性能指标：
1、温度：300～1100℃
2、恒温区：350mm/±1℃
3、极限真空度:8×10-1Pa
4、压力测控范围：1Pa～1000Pa
5、适用晶片：4"-6"
6、膜厚均匀性（150nm）
片内≤3% 间≤3% 批间≤3%
曾工15018420573（微信同号）邮箱：zengzhaohui@gdisit.com
