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工艺能力-光刻工艺

发布时间:2024年04月10日来源:广东省科学院半导体研究所

    1、ABM紫外单面光刻机

一、信息详情:

设备名称:ABM紫外单面光刻机

设备型号:ABM/6/350/NUV/DCCD/M 

设备厂商:美国ABM公司

用途:光刻胶的图形化

工作原理:将设计的掩模图形通过光刻机曝光转移到涂有光刻胶的晶片上

二、技术性能指标:

1.紫外光波长:365nm,曝光能量密度18-20mW/cm2可调

2. 样品尺寸:6英寸及以下

3. 分辨率:接触式曝光<0.5μm,接近式曝光≤1μm

4.对准精度:1μm

三、联系方式:

曾工15018420573(微信同号)邮箱:zengzhaohui@gdisit.com

        


2、SUSS双面光刻机

一、信息详情:

设备名称:SUSS双面光刻机

设备型号:SUSS MA/BA8 GEN4

设备厂商:德国SUSS 公司

二、技术性能指标:

1.衬底尺寸:最大8英寸,兼容642英寸,最小10*10mm

2.光强大小:35mw/cm2@365nm 光强均匀性:优于±2.5%@8”

3.曝光模式:真空接触、硬接触、软接触、接近式曝光

4.正面显微镜分离距离调节范围29-203mm

5.背面显微镜分离距离调节范围15-203mm

6.正面光刻分辨率:0.8μm,背面光刻分别率1.1μm

7.最大晶圆厚度:6mm

8.可用于键合机晶圆对准

三、联系方式:

曾工15018420573(微信同号)邮箱:zengzhaohui@gdisit.com