1、变温光致发光系统（PL） 

一、信息详情

设备名称：变温光致发光系统（PL, Cryogenic Photoluminescence Measurement System）

设备型号：iHR550

设备厂商：法国HORIBA Jobin Yvon

二、技术参数

1．光源系统:

● 325nm He-Cd激光器，30mW，稳定性＜1.0%，噪声＜0.5%

● 配备滤光片双塔轮，每个塔轮安装5个滤光片，两两组合从而可实现325激光器的激发功率从0.15mW-30mW改变

● 汞灯校准光源

2．样品台及控制系统:

● 适合碎片以及2英寸外延片

● 带光学窗口的Janis低温制冷系统（5K-300K），降温速度2小时以内从300K降到5K，可使用10针电学真空接头及三个备用电学引入端口，用于变温电学测试

● Cryocon 22C型多功能双输入通道控温仪，温度控制精度和稳定性高

● 10μm精度的电动XYZ调节台组。

3．数据采集及处理系统

● 焦长550mm，电动狭缝宽度0-2mm可调，杂散光抑制比优于104

● 光谱分辨率：PMT分辨率优于0.025nm，CCD分辨率优于0.1nm

● 光电倍增管探测器PMT探测波长200-860nm

● 高性能、低噪声液氮制冷背照射UV增强CCD探测器，探测波长400-900nm，1024×256像素16比特，制冷温度173K

4．其他

● 所有光学元器件均采用Thorlabs，精密度高，质量可靠

● 智能的测量分析软件Syner JY，操作简单、便于数据处理

三、联系方式

王老师：13560436009（微信同号）

林老师：13889906362（微信同号） 

2、功率器件分析仪及探针台 

一、信息详情

设备名称：半导体参数测试仪、探针台

设备型号：B1505A、TS2000-HP

设备厂商：Keysight、MPI

二、技术参数

l 最大输出电压±3000V

l 最大驱动电流±8mA(±1500V)，±4mA(±3000V)

l 电压测量分辨率200μV;电流测量分辨率10fA

l 最大输出电压±40V(直流)，土20V(脉冲)，最大驱动电流土1A(直流)，±20A(脉冲)电压测量分辨率200nV

l 电流测量分辨率10pA

l 多频点电容测试模块测试能力：频率范围1kHz至5MHz

三、送样须知

1. 适合8英寸以内的晶圆片及残片样品

2. 需要自行做好电极，电极大小在50*50um以上

3. 可测量击穿电压、开启电压、输出特性、转移特性、通道电阻、栅极漏电流、源极-漏极漏电流、电容电压等参数

四、联系方式

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林老师：13889906362（微信同号）

3、霍尔效应测试仪（HALL） 

一、信息详情

设备名称：霍尔效应测试仪（Hall Effect Measurement）

设备型号：HMS-5300

设备厂商：韩国ECOPIA

二、技术参数

l 输入电流：1nA ~ 20mA

l 电阻率：10e -5~ 10e7 Ω.cm

l 载流子浓度：10e7 ~ 10e21 cm-3

l 迁移率：1 ~ 10e7 cm2/(V.s)

l 磁场强度：0.556T

l 样品测量板：弹簧样品板

l 样品尺寸：5mm×5mm ~ 20mm×20mm，适用样品厚度：小于2mm。

l 温度范围：80 K -573K

l 磁体包尺寸：700×220×280 mm (W×H×D) / 15.5Kg

l 可同时测量得到体载流子浓度(Bulk carrier concentration)、表面载流子浓度(Sheet carrier concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)、电阻的纵横比率(Vertical/Horizontal ratio of resistance)等参数。

三、送样须知

1、样品形态：必须是薄膜(做在基底上面的薄膜也可以，基底不能有导电性)，薄片，如果是做在基底上面的薄膜，那么薄膜要稍微厚一点，薄膜的厚度需要自己确认好，包括纯薄膜的厚度以及薄片厚度都要确认好，到时候测试时需要输入仪器进行计算的

2、尺寸:8-11mm见方的圆片或者方片(最好是10mm见方的尺寸)，导电层厚度在10-500nm之间最佳，整体厚度不超过2mm，样品需要均匀、平整，不能有孔洞、褶皱等缺陷；

3、样品电阻不要超过200MΩ，当样品电阻超过100Ω时，需要制备金属电极，金属电极共四个，位于正方形的四个顶角处。

四、联系方式

王老师：13560436009（微信同号）

林老师：13889906362（微信同号）

4、高精度快速光谱辐射计

一、信息详情

设备名称：高精度快速光谱辐射计

设备型号：HAAS-2000

设备厂商：远方光电

二、技术参数

l 积分时间：9ms-60s；

l 波长范围：200nm-1200nm；

l 波长准确度：±0.3nm；

l 半峰带宽：5nm；

l 杂散光：5E-05（应用BWCT技术）；

l 色品坐标准确度：±0.002（标准色光下），±0.0003（标准A光源下）；

l 色品坐标重复性：±0.0002x，±0.0003y（恒温蓝光LED）

l 光度线性：±0.3%（SBCT技术）；

l 光度重复性：±0.2%；

l 光通量测量范围：0.01~200，000lm（配不同积分球）；

l 光通量精度：±1%（不计源自标准灯的不确定度）；

三、联系方式

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5、椭圆偏振光谱仪

一、信息详情

设备名称：椭圆偏振光谱仪（Ellipsometer）

设备型号：UVISEL

设备厂商：日本Horiba

二、技术参数

● 光谱范围210-880nm，有效覆盖深紫外-近红外光谱波段

● 椭偏测量范围：Ψ=0-90°，Δ=0-360°

● 高灵敏度，UVISEL采用光弹调制器PEM作为核心元件，具有50kHz 的快速调制速度；

● 椭偏参数的准确性：95%以上的被测点满足Δ≤00±0.05， Ψ≤450±0.0750（直射测量，即测空气）

● 30次连续性测量膜厚重复性：优于0.003nm(25nm SiO2 On Si)或者优于0.02nm （80-100nm SiO2 On Si）

● 快速数据采集，保证信噪比的前提下，可以极快地采集数据，达到1ms/point；

● 光斑直径：50µm，100µm，1mm

● 可检测样品尺寸：碎片或2、4、6英寸薄膜

三、送样须知

1. 样品状态：材料一般为块状或薄膜，大小无特殊要求;

2. 如果有基底的膜层结构要做折射率和消光系数，基底厚度要求越厚越好，膜厚度要在10um以下，如果是单层膜样品，没有基底，膜厚越厚越好，最好500um以上；膜层需00为透明薄膜目膜层表面均匀，基底不需要透明。

四、联系方式

王老师：13560436009（微信同号）

林老师：13889906362（微信同号）